第139章 枯燥的讨论

咖啡厅的服务员过来，林浅予点的拿铁，罗平只要了一瓶水。

李新等服务员走后才解答他的问题：“当前主流的闪存芯片都是采用2d技术，类似于一大片平原上建造一个个独立的单间牢房，也就是浮栅晶体管，通过施加十五到二十伏的电压，可以让里面存储一定量的电荷，也就是写入数据，然后通过五伏电压进行读取，判断里面有没有存储电荷，有就是一，没有就是零，同样面积的芯片上面，建造的浮栅晶体管越密集，存储密度越大，芯片容量也就越大，里面电荷泄露的可能性也越大！”

顿了顿又继续说道：“我们当前的工艺，浮栅晶体管体积宽度是三十八纳米，你说的那家企业可能是三星，或者是东芝，他们的工艺能把浮栅晶体管能缩小到十六纳米，当然，带来的后果是电子隧穿效应增加，芯片可擦写次数也会受到影响，但都在可控范围内！”

“浮栅晶体管小于十四纳米，电子隧穿效应就不可控了，发展到十六纳米大小，当前的技术路径已经发展到极限，未来的趋势是3d层叠技术，芯片上的晶体管从平房改成楼房，目前三星已经研发出三十二层晶体管的芯片，当然这都是在保证一定安全性的前提下，不过数据可靠性还取决于逻辑控制电路部分，读取写入都要经过这里操作，这部分相当于监狱管理，同样重要！”

“尽管我们很有达成合作的诚意，我也得承认，无论是单芯片容量，还是数据安全性方面，相比三星的同类产品，我们都没有技术优势，但是差距是看的见的，并不是追赶不上，只要有足够的资金，三到五年追平差距是有可能的！”

“我看资料介绍，闪存芯片还分lc、）意念奇点。

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